虫儿飞飞
晶体管的发展历经多个关键阶段，以下是早期探索中的主要里程碑与技术创新。
理论奠基阶段（19世纪-20世纪初）
| 年份 | 事件概要 | 核心贡献者 | 意义 |
|---|---|---|---|
| 1833 | 发现硫化银导电特性 | 迈克尔·法拉第 | 首次观察到半导体材料的特殊导电性 |
| 1874 | 金属-半导体接触整流效应 | 卡尔·布劳恩 | 奠定半导体器件非对称导电的理论基础 |
| 1926 | 提出场效应晶体管概念 | 尤利乌斯·利莲费尔德 | 首个晶体管理论原型，因材料限制未实现 |
技术突破阶段（1940-1950年代）
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1947年：点接触晶体管诞生
贝尔实验室的巴丁、布拉顿和肖克利团队用锗材料制成首个可工作的晶体管，实现电流放大功能，取代真空管成为电子设备核心元件。 -
1948年：结型晶体管理论提出
肖克利完善双极型晶体管设计理论，明确PN结在载流子输运中的作用，为后续硅基晶体管开发提供理论指导。 -
1950年代：硅材料提纯技术突破
通过区域熔炼法（ZoneRefining）提纯硅晶体，纯度达99.9999%，解决早期锗晶体管温度稳定性差的问题。
工业化应用阶段（1950年代后期）
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1954年：首颗商用硅晶体管量产
德州仪器（TI）推出硅晶体管，耐高温特性使其在军事和航天领域迅速普及。 -
1959年：平面工艺发明
仙童半导体的诺伊斯利用氧化层掩膜技术实现晶体管平面化制造，为集成电路诞生铺平道路。
通过上述节点可见，早期晶体管探索融合了材料科学、量子力学与工艺创新，最终推动半导体行业从实验室走向大规模应用。